ROHM N channel-Channel MOSFET, 40 A, 40 V, 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04BBKFRATCB
- RS Stock No.:
- 780-658P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RH7G04BBKFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,758.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,881.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 245 | THB35.166 |
| 250 + | THB28.418 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-658P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RH7G04BBKFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN3333T8LSAB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.4mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN3333T8LSAB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.4mm | ||
Height 1.1mm | ||
Length 3.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for high-reliability applications, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments.
Drain-source voltage of 40 V
Continuous drain current of 40 A
3.1 mOhm typical on-resistance
High power dissipation of 75 W