ROHM N channel-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1L10BBGTL1
- RS Stock No.:
- 780-362P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1L10BBGTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB3,069.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,284.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สินค้าใหม่ - พรีออเดอร์วันนี้
- ส่งจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 98 | THB153.495 |
| 100 + | THB124.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-362P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1L10BBGTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 240A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.41mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 8.9mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 4.77mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 240A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263AB-3LSHYAD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.41mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 8.9mm | ||
Length 10.36mm | ||
Height 4.77mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-current power management. This robust device is engineered for motor drives and DC/DC converters, ensuring exceptional efficiency in demanding industrial switching circuits.
Drain to source voltage of 60 V
Continuous drain current of 105 A
Ultra-low 1.85 mΩ typical on-resistance
High power dissipation of 192 W