Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules, 710 A, 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2 FF2000UXTR23T2M1BPSA1
- RS Stock No.:
- 762-891
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF2000UXTR23T2M1BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB137,257.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB146,865.33
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB137,257.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-891
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF2000UXTR23T2M1BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 710A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 2300V | |
| Package Type | XHP-2 | |
| Series | XHP 2 | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 15 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.65μC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -23V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 6.25V | |
| Transistor Configuration | Half Bridge | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 140mm | |
| Width | 100mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 710A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 2300V | ||
Package Type XHP-2 | ||
Series XHP 2 | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 15 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.65μC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -23V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 6.25V | ||
Transistor Configuration Half Bridge | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 140mm | ||
Width 100mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Infineon CoolSiC MOSFET half bridge module features voltage rating of 2300 V and supports high current density. It features AlSiC base plate for increased thermal cycling capability and high creepage and clearance distances.
Low inductive design
Low switching losses
High power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2 FF1000UXTR23T2M1BPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2 FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2 FF2000UXTR23T2M1PBPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2 FF1300UXTR23T2M1BPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2 FF1300UXTR23T2M1PBPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V, 15-Pin XHP-2 FF1400R23T2E7B5BPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 2300 V, 15-Pin XHP-2 FF1400R23T2E7PB5BPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 1200 V Enhancement, 15-Pin AG-62MMHB FF1MR12KM1HSHPSA1
