Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Type N-Channel MOSFET, 86 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC073N12LM6ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
285-048
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISC073N12LM6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS 6 Power Transistor

Package Type

PG-TDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is an Advanced N channel power transistor that excels in high frequency switching applications. Designed with innovative OptiMOS 6 technology, it delivers exceptional efficiency and performance. With a low on resistance and a high avalanche energy rating, this component is optimised for demanding industrial applications and ensures reliable operation even in challenging thermal environments. Its Compact PG TDSON 8 package further enhances its usability, making integration into various designs straightforward. The transistor operates seamlessly across a wide temperature range, facilitating versatility in numerous applications.

N channel design for enhanced performance

Optimised for high frequency switching

Low on resistance boosts energy efficiency

High avalanche rating ensures reliability

Compact package saves design space

RoHS compliant for sustainability

MSL 1 for easy soldering

Internal body diode improves functionality

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง