ROHM RD3G08DBKHRB N-Channel Single MOSFETs, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Stock No.:
- 687-464P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08DBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB712.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB762.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 72 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 48 | THB35.645 |
| 50 - 198 | THB31.935 |
| 200 - 998 | THB25.745 |
| 1000 + | THB25.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-464P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08DBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 (TL) | |
| Series | RD3G08DBKHRB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 76W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Length | 10.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 (TL) | ||
Series RD3G08DBKHRB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 76W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Length 10.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance applications demanding superior efficiency and high current capacity. Designed to operate at 40V with a maximum continuous drain current of 80A, this MOSFET delivers exceptional reliability and performance under various operating conditions. Furthermore, its low on-resistance of 4.1mΩ minimises energy losses, ensuring optimal thermal performance and power dissipation up to 76W, making it an ideal choice for demanding applications in automotive and industrial sectors.
Low on resistance for reduced energy losses during operation
High continuous drain current capability of 80A for robust performance
Power dissipation rating of 76W for reliable operation in high-power applications
Avalanche current rating of 30A, ensuring durability during transient conditions
AEC Q101 qualification for reliability in automotive applications
RoHS compliant with Pb free plating, aligning with environmental standards
Includes packaging specifications like embossed tape for efficient handling
Multiple voltage ratings to cater to diverse circuit designs