ROHM R8011KNZ4 Type N-Channel Single MOSFETs, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 687-457P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R8011KNZ4C13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในถาด)*
THB3,059.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,273.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 98 | THB152.98 |
| 100 - 198 | THB137.385 |
| 200 + | THB108.175 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-457P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R8011KNZ4C13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | R8011KNZ4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.45Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 40mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 5.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series R8011KNZ4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.45Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 40mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 5.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET designed to deliver exceptional efficiency and reliability in various applications. With a voltage rating of 800V and a maximum continuous drain current of 11A, this component excels in demanding environments. Engineered for fast switching, it features a low on-resistance of just 0.45Ω, enabling reduced power loss and efficient thermal management. Its robust construction ensures compliance with environmental standards, including RoHS, making it a practical choice for modern electronic designs that prioritise sustainability along with performance.
Low on resistance ensures efficient power delivery
Fast switching capability optimises performance in high-speed applications
Robust construction supports parallel use, enhancing design flexibility
Compliant with RoHS standards, contributing to environmentally friendly designs
Wide operating temperature range from -55 to +150°C ensures reliability in extreme conditions
Thermal resistance ratings provide excellent heat management in compact designs
Effective gate charge characteristics allow for easier integration into existing circuits
Versatile applications in industrial, automotive, and consumer electronics sectors