ROHM HT8MD5HT Dual N-Channel Single MOSFETs, 9 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8
- RS Stock No.:
- 687-385P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8MD5HTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB741.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB792.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 48 | THB37.05 |
| 50 - 198 | THB33.385 |
| 200 - 998 | THB26.87 |
| 1000 + | THB26.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-385P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8MD5HTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | HT8MD5HT | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 165mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13.0W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 800μm | |
| Length | 3.45mm | |
| Width | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series HT8MD5HT | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13.0W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 800μm | ||
Length 3.45mm | ||
Width 3.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The ROHM Power MOSFET designed for versatile electronic applications. With its dual N channel and P channel configuration, this component delivers exceptional performance, allowing for effective power management in motor drives and other demanding circuits. Features such as low on-resistance ensure minimal power loss during operation, while the HSMT8 packaging allows for a compact footprint without compromising performance. HT8MD5H supports a wide voltage range and is compliant with RoHS and halogen-free standards, making it an ideal choice for environmentally-conscious designs. Built with reliability in mind, this MOSFET is suitable for various applications requiring robust performance under varying conditions.
Low on resistance designs enhance efficiency in power applications
High power capabilities in a compact HSMT8 package streamline integration
RoHS compliant and halogen-free construction supports eco-friendly designs
100% Rg and UIS tested for reliability under demanding operational conditions
Optimised for motor drive applications, ensuring effective power control
Wide voltage range ensures versatility in various electronic environments
Designed to withstand maximum junction temperatures of up to 150°C