ROHM R8019KNZ4 N-Channel Single MOSFETs, 19 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 R8019KNZ4C13
- RS Stock No.:
- 687-367P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R8019KNZ4C13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (20 ชิ้น, จัดส่งในถาด)*
THB4,158.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,449.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 98 | THB207.935 |
| 100 - 198 | THB186.645 |
| 200 + | THB146.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-367P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R8019KNZ4C13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | R8019KNZ4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.265Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 16.24mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 40mm | |
| Height | 5.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series R8019KNZ4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.265Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 16.24mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 40mm | ||
Height 5.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N channel MOSFET designed for high-efficiency performance in electronic applications. Featuring a maximum Drain-Source voltage of 800V and a continuous drain current capability of 19A, this device effectively manages significant power loads while maintaining low on-resistance. Engineered with advanced switching capabilities, it provides rapid response times essential for efficient circuit operation. The encapsulation in a TO-247G package ensures straightforward mounting and excellent thermal performance, making it ideal for power management in everything from industrial systems to consumer electronics.
Low on resistance of just 0.265Ω, enhancing energy efficiency
Rated for continuous drain current of ±19A, allowing substantial power handling
Fast switching performance optimises the operation of dynamic circuits
Pb free lead plating ensures compliance with environmental standards
Robust avalanche ratings support reliable operation in transient conditions
Ideal for parallel usage, simplifying multiple device configurations.