ROHM SCT4018KWA N-Channel Single MOSFETs, 75 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA
- RS Stock No.:
- 687-342P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT4018KWATL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB9,639.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,313.89
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 + | THB963.915 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-342P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT4018KWATL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT4018KWA | |
| Package Type | TO-263-7LA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 267W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 21V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 10.2mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Length | 15.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT4018KWA | ||
Package Type TO-263-7LA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 267W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 21V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 10.2mm | ||
Height 4.5mm | ||
Length 15.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
The ROHM N channel SiC power MOSFET, designed for efficient power management in a variety of applications. With a maximum drain-source voltage of 1200V and a low on-resistance of 18mΩ, this MOSFET optimises performance in high-efficiency systems like solar inverters and induction heating. It provides robust thermal management with a junction temperature range of up to 175°C, ensuring reliable operation even in demanding environments. The device features a fast switching speed, making it ideal for applications requiring high-frequency switching, thereby enhancing overall system efficiency and performance.
Low on resistance ensures minimal energy loss during operation
Supports fast switching speeds for improved efficiency
Designed for easy parallel operation, facilitating scalability
Robust thermal characteristics enable operation in extreme conditions
Pb free lead plating complies with RoHS standards for environmental safety
Wide creepage distance of 4.7 mm enhances reliability in high-voltage applications
Ideal for various applications including solar inverters and DC/DC converters