Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89
- RS Stock No.:
- 649-584P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN2510N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,989.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,128.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 17 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 245 | THB39.782 |
| 250 - 495 | THB35.73 |
| 500 + | THB28.346 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 649-584P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN2510N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.73A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Series | TN2510 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.73A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Series TN2510 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage