Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 TN2510N8-G

RS Stock No.:: 649-584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2510N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 TN2510N8-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*

THB188.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB201.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,475 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5 - 45	THB37.626	THB188.13
50 - 245	THB33.072	THB165.36
250 - 495	THB29.704	THB148.52
500 +	THB23.566	THB117.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 649-584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2510N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.73A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TN2510
	Package Type	SOT-89
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-free/RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.73A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TN2510
	Package Type SOT-89
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Lead (Pb)-free/RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - TN2510N8-G

The Microchip Low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 TN2510N8-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง