Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 TN2510N8-G

RS Stock No.:: 649-584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2510N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 TN2510N8-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*

THB188.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB201.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,475 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5 - 45	THB37.626	THB188.13
50 - 245	THB33.072	THB165.36
250 - 495	THB29.704	THB148.52
500 +	THB23.566	THB117.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 649-584
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2510N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.73A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-89
	Series	TN2510
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-free/RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.73A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-89
	Series TN2510
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Lead (Pb)-free/RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - TN2510N8-G

The Microchip Low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip TN2510 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.73 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 TN2510N8-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง