onsemi NTT N-Channel Single MOSFETs, 65 A, 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN8
- RS Stock No.:
- 648-506P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB2,886.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,088.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 980 | THB14.432 |
| 1000 - 1980 | THB8.332 |
| 2000 + | THB8.142 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 648-506P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | WDFN8 | |
| Series | NTT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 65A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type WDFN8 | ||
Series NTT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The ON Semiconductor Latest 40V standard gate level Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Low RDS(on)
Low Capacitance
Small Footprint of 3.3 x 3.3 mm