Infineon CoolGaN Type P-Channel Single MOSFETs, 76 A, 100 V Enhancement, 6-Pin PG-VSON-6 IGC033S101
- RS Stock No.:
- 559-213
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGC033S101
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB100.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB107.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB100.77 |
| 10 - 24 | THB84.63 |
| 25 - 99 | THB51.47 |
| 100 - 499 | THB50.17 |
| 500 + | THB49.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 559-213
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGC033S101
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PG-VSON-6 | |
| Series | CoolGaN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 6.5 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.1 mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | JESD22, JEDEC JESD47, J-STD-020 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 76A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PG-VSON-6 | ||
Series CoolGaN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 6.5 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.1 mm | ||
Height 1mm | ||
Length 5.1mm | ||
Standards/Approvals JESD22, JEDEC JESD47, J-STD-020 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolGaN Transistor 100 V G3 offers ultra-fast switching and high efficiency. It features a space-saving, highly robust package with no reverse recovery charge. Additionally, it has an ultra-low gate charge and output charge for optimal performance.
Ultra low gate charge and output charge
Moisture rating MSL1
Industrial grade 3x5 package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolGaN Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 6-Pin PG-TSON-6-2 IGC033S10S1
- Infineon IGC033 Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin PG-VSON-6 IGC033S101XTMA1
- Infineon IGC033 Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin PG-VSON-6 IGC033S10S1XTMA1
- Infineon TLE4972AE35S5XUMA1 PG-VSON-6
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R140D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R080D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R055D2XUMA1
- Infineon CoolGaN G5 Type N-Channel Single MOSFETs 650 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IGL65R110D2XUMA1
