Infineon IGC033 Type P-Channel MOSFET, 76 A, 100 V Enhancement, 6-Pin PG-VSON-6 IGC033S10S1XTMA1
- RS Stock No.:
- 351-971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGC033S10S1XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB303.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB324.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB151.66 | THB303.32 |
| 20 - 198 | THB136.565 | THB273.13 |
| 200 - 998 | THB125.93 | THB251.86 |
| 1000 - 1998 | THB116.775 | THB233.55 |
| 2000 + | THB104.65 | THB209.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGC033S10S1XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IGC033 | |
| Package Type | PG-VSON-6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5.5 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.1 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 76A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IGC033 | ||
Package Type PG-VSON-6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5.5 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.1 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolGaN Transistor is a normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x5 package, enabling high power density designs. Its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications.
Best in class power density
Highest efficiency
Improved thermal management
Enabling smaller and lighter designs
Excellent reliability
Lowering BOM cost
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGC033 Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin PG-VSON-6 IGC033S101XTMA1
- Infineon CoolGaN Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 6-Pin PG-VSON-6 IGC033S101
- Infineon CoolGaN Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 6-Pin PG-TSON-6-2 IGC033S10S1
- Infineon TLE4972AE35S5XUMA1 PG-VSON-6
- Texas Instruments NexFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD25402Q3A
- DiodesZetex DMP4011 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMP4011SPS-13
- DiodesZetex DMP4011 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- Texas Instruments NexFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin VSONP
