Infineon AIMZA75 Type N-Channel MOSFET, 163 A, 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R008M1HXKSA1
- RS Stock No.:
- 351-988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB2,346.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,511.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB2,346.88 |
| 10 - 99 | THB2,112.34 |
| 100 + | THB1,948.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 163A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Series | AIMZA75 | |
| Package Type | PG-TO247-4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.0mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 178nC | |
| Forward Voltage Vf | 5.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | AEC Q101 | |
| Height | 5.1mm | |
| Width | 15.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 163A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Series AIMZA75 | ||
Package Type PG-TO247-4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.0mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 178nC | ||
Forward Voltage Vf 5.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 21.1mm | ||
Standards/Approvals AEC Q101 | ||
Height 5.1mm | ||
Width 15.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
The Infineon CoolSiC Automotive MOSFET is built over the solid silicon carbide technology. It offers an edge in performance, reliability and robustness, with gate driving flexibility, enabling the simplified and cost effective system design for top efficiency and power density.
Superior efficiency in hard switching
Enables higher switching frequency
Higher reliability
Robustness against parasitic turn
Unipolar driving
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMZA75 Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R008M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R027M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R090M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R016M1HXKSA1