Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 60 A, 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R027M1HXKSA1
- RS Stock No.:
- 349-341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZA75R027M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB702.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB751.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB702.13 |
| 10 - 99 | THB631.87 |
| 100 + | THB582.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZA75R027M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Package Type | PG-TO247-4 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 234W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Package Type PG-TO247-4 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 234W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 is built on Infineon’s solid silicon carbide technology, developed over more than 20 years. By leveraging the unique characteristics of wide bandgap SiC materials, the 750 V CoolSiC MOSFET delivers a unique combination of performance, reliability, and ease of use. It is specifically designed for high temperature and harsh operating conditions, enabling the simplified and cost effective deployment of systems with the highest efficiency. This MOSFET is perfect for applications requiring robust performance and energy efficient solutions.
Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V
Superior efficiency in hard switching
Higher switching frequency in soft switching topologies
Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving
Reduced switching losses through improved gate control
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R027M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R090M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R016M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R016M1HXKSA1