Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 103 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R015M2HXKSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB678.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB726.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 19 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB678.88
10 - 99THB610.99
100 +THB563.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-334
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMZA65R015M2HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

103A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolSiC

Package Type

PG-TO247-4

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

341W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon CoolSiC Series MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 103A Continuous Drain Current - IMZA65R015M2HXKSA1


This MOSFET is a silicon carbide power transistor designed for high-voltage switching in demanding industrial environments. It operates as an N-channel enhancement device and is supplied in a four-pin PG-TO247-4 through-hole package suited to heat-sinking and conventional assembly methods. The component supports continuous high-current operation and is specified for wide-temperature use, making it appropriate for systems requiring sustained power handling at elevated junction temperatures.

Features and Benefits:


• 650V drain voltage enables high-voltage switching applications
• 103A continuous drain current supports heavy current loads
• 18 mΩ RDS(on) reduces conduction losses for higher efficiency
• 79 nC typical gate charge affords predictable switching behaviour
• 341W maximum power dissipation allows substantial thermal loading
• Rated from -55 °C to 175 °C suits extreme-temperature operation

Applications


• Suitable for industrial motor drive power stages
• Ideal for high-voltage power supplies and inverters
• Used with robust heat-sink assemblies in converters
• Can be used for high-current DC-DC conversion systems
• Appropriate for replacement in through-hole power electronics

What package and mounting method does it use?


It comes in a PG-TO247-4 package with through-hole mounting for soldered or bolted heat-sink attachment.

How does the gate specification affect switching design?


The typical gate charge of 79 nC indicates gate-drive energy and influences chosen driver strength and switching-speed trade-offs.

What thermal limits should designers consider?


The device can dissipate up to 341W under specified conditions and is rated to operate up to 175 °C for high-temperature system designs.

Is it suitable for automotive standard requirements?


It is not specified as meeting automotive standard approvals and should be assessed against automotive qualification needs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง