Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 17 A, 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R140M1HXTMA1
- RS Stock No.:
- 348-926
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMBG75R140M1HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB457.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB489.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB228.85 | THB457.70 |
| 20 - 198 | THB206.09 | THB412.18 |
| 200 - 998 | THB190.005 | THB380.01 |
| 1000 - 1998 | THB176.40 | THB352.80 |
| 2000 + | THB158.09 | THB316.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-926
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMBG75R140M1HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 182mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgapSiC material characteristics, the 750V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.
Infineon proprietary die attach technology
Driver source pin available
Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V
Superior efficiency in hard switching
Higher switching frequency in soft switching topologies
Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving
Best in class thermal dissipation
Reduced switching losses through improved gate control
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R027M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R090M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R020M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R040M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R016M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R050M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R007M2HXTMA1