onsemi NXH N-Channel MOSFET, 38 A, 1.2 kV Enhancement, 22-Pin PIM22
- RS Stock No.:
- 277-054P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH030F120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในถาด)*
THB32,708.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,997.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 28 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 + | THB3,270.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-054P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH030F120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | NXH | |
| Package Type | PIM22 | |
| Mount Type | Snap-in | |
| Pin Count | 22 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 34.2W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series NXH | ||
Package Type PIM22 | ||
Mount Type Snap-in | ||
Pin Count 22 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 34.2W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power Module contains a 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET full-bridge and a thermistor, featuring an Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) in an F1 package. This high-performance module is designed for efficient power conversion and is ideal for applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.
Pb free
Halide free and RoHS compliant
