ROHM SCT N-Channel MOSFET, 17 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA
- RS Stock No.:
- 265-380P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT3160KWAHRTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 100 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB24,077.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,762.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 100 + | THB240.774 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-380P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT3160KWAHRTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | SCT | |
| Package Type | TO-263-7LA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 208mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Forward Voltage Vf | 3.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.5mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 10.2mm | |
| Length | 15.4mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series SCT | ||
Package Type TO-263-7LA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 208mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Forward Voltage Vf 3.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.5mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 10.2mm | ||
Length 15.4mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM MOSFET is an AEC-Q101 qualified automotive grade SiC trench MOSFET. It features high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed, making it an ideal choice for demanding automotive applications that require efficient and reliable performance.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
