ROHM HT8KB6 1 Type P-Channel MOSFET, 15 A, 40 V Depletion, 8-Pin HSMT-8 HT8KB6TB1
- RS Stock No.:
- 265-123
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KB6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB282.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB301.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB28.204 | THB282.04 |
| 100 - 240 | THB26.819 | THB268.19 |
| 250 - 490 | THB24.839 | THB248.39 |
| 500 - 990 | THB22.86 | THB228.60 |
| 1000 + | THB22.019 | THB220.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-123
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KB6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | HT8KB6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.2mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series HT8KB6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.2mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is designed for demanding applications that require exceptional efficiency and reliability. The product's robust design, featuring a low on-resistance and high power capacity, positions it as an ideal choice for motor drives and other power management needs. It stands out with its compact HSMT8 packaging, ensuring ease of integration into various electronic systems.
Halogen free design supports compliance with global environmental standards
Guaranteed 100% Rg and UIS testing for enhanced reliability
Wide operating junction temperature range allows for versatile applications
High pulsed drain current capability supports demanding operational profiles
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RH Type P-Channel MOSFET 80 V Depletion, 8-Pin HSMT-8 RH6N040BHTB1
- ROHM RQ3L270BKFRA Type P-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin HSMT-8AG RQ3L270BKFRATCB
- ROHM RQ3G270BKFRA Type P-Channel MOSFET 40 V Depletion, 8-Pin HSMT-8AG RQ3G270BKFRATCB
- ROHM RQ3L270BLFRA Type P-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin HSMT-8AG RQ3L270BLFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G270BJFRATCB
- Infineon Dual IRF7343PbF 1 Type P 4.7 A 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF
