ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1
- RS Stock No.:
- 264-877P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8ME5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 100 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB3,529.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,776.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 100 - 240 | THB35.298 |
| 250 - 490 | THB32.68 |
| 500 - 990 | THB30.064 |
| 1000 + | THB28.978 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-877P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8ME5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Series | HP8K | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 273mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Transistor Configuration | Dual (Nch+Pch) | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Series HP8K | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 273mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Transistor Configuration Dual (Nch+Pch) | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET features a dual N-channel configuration with a voltage rating of 100V and a current capacity of 8.5A. Designed in an HSOP8 package and offers low on-resistance.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package (HSOP8)
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free