ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
- RS Stock No.:
- 264-764P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KC5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 100 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB2,630.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,815.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 100 - 240 | THB26.309 |
| 250 - 490 | THB24.315 |
| 500 - 990 | THB22.385 |
| 1000 + | THB21.549 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-764P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KC5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | HP8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series HP8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
High Power small mold Package (HSMT8)
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free