ROHM HP8J 2 Type P-Channel MOSFET, 12.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8JE5TB1
- RS Stock No.:
- 264-654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8JE5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB238.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB255.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 95 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB47.70 | THB238.50 |
| 50 - 95 | THB45.324 | THB226.62 |
| 100 - 495 | THB41.96 | THB209.80 |
| 500 - 995 | THB38.596 | THB192.98 |
| 1000 + | THB37.21 | THB186.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8JE5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HP8J | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 127mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 21W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HP8J | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 127mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 21W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Semiconductor is a dual P-channel MOSFET designed for efficient switching and motor drive applications. It features a low on-resistance and high power dissipation, making it ideal for high-performance circuits. The device is housed in an 8-HSOP package, ensuring compact and reliable surface mounting.
RoHS compliant
High power Package
Pb free plating
Halogen Free
Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1
- ROHM HP8 2 Type P 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8MC5TB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 2 Type P 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8MB5TB1
- ROHM RQ3N060AT Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RQ3N060ATTB1
- ROHM RS1 Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1N110ATTB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KC6TB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KC7TB1
- ROHM HP8K 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KE6TB1
