ROHM R80 Type N-Channel MOSFET, 19 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8019KNXC7G
- RS Stock No.:
- 264-561
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R8019KNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB180.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB192.72
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB180.11 |
| 10 - 99 | THB162.30 |
| 100 - 499 | THB149.43 |
| 500 - 999 | THB138.55 |
| 1000 + | THB112.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-561
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R8019KNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220FM | |
| Series | R80 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.265Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220FM | ||
Series R80 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.265Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 800V 19A power MOSFET in a TO-220FM package is a high-speed switching super junction MOSFET designed for high efficiency. It enables improved performance in PFC and LLC circuits by achieving higher efficiency through high-speed switching.
Low on-resistance
Fast switching
Parallel use is easy
Pb-free lead plating and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8003KNXC7G
- ROHM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8002KNXC7G
- ROHM R6520ENX Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6520ENX
- ROHM R6012JNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6049YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6061YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6027YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6010YNXC7G
