onsemi NTH N-Channel MOSFET, 151 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247-4L
- RS Stock No.:
- 220-567P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L013N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB9,958.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,655.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 352 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 99 | THB995.83 |
| 100 + | THB918.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-567P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L013N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 151A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 4.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 682W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 254nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Height | 5mm | |
| Length | 16.2mm | |
| Width | 15.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 151A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 4.7V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 682W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 254nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Height 5mm | ||
Length 16.2mm | ||
Width 15.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
Halide Free
RoHS Compliant
