onsemi NTBL N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Stock No.:
- 220-562P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL060N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB2,859.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,059.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 99 | THB285.96 |
| 100 - 499 | THB263.88 |
| 500 - 999 | THB244.77 |
| 1000 + | THB198.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-562P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL060N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HPSOF-8L | |
| Series | NTBL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 9.9mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 10.38mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HPSOF-8L | ||
Series NTBL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 9.9mm | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 10.38mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
High Speed Switching with Low Capacitance
RoHS Compliant