Nexperia PSM N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN040-100MSEX
- RS Stock No.:
- 219-405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN040-100MSEX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB45.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB48.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB45.29 |
| 10 - 99 | THB41.04 |
| 100 - 499 | THB37.50 |
| 500 - 999 | THB34.68 |
| 1000 + | THB31.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN040-100MSEX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 91W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEEE802.3at, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 91W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEEE802.3at, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is designed to meet the increased demands of Power-over-Ethernet systems, which now support up to 90W to each powered device. It addresses critical requirements for power sourcing equipment, including soft-start functionality, thermal management, and high power density, ensuring reliable and efficient performance in Advanced PoE solutions.
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
Low Rdson for low conduction losses
Ultra reliable LFPAK33 package for superior thermal and ruggedness performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN040-100MSEX
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN075-100MSEX
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR67-30YLEX
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN9R8-100YSFX
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R2-80YSEX
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R5-80YSFX
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R3-100SSFJ
- Nexperia PSM N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN7R5-30MLDX