Nexperia NextPowerS3 Technology Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- RS Stock No.:
- 219-402
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R4-30YLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB34.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37.06
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB34.64 |
| 10 - 99 | THB31.17 |
| 100 - 499 | THB28.70 |
| 500 - 999 | THB26.72 |
| 1000 + | THB23.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-402
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R4-30YLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | NextPowerS3 Technology | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.42mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series NextPowerS3 Technology | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.42mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
Low parasitic inductance and resistance
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package
Wave solder able
Superfast switching with soft recovery
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NextPowerS3 Technology Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia NextPower-S3 technology Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YLDX
- Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YSHX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-30YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN0R9-30YLDX
- Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus technology Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-25YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-25MLHX