Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET, 150 A, 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-25MLHX
- RS Stock No.:
- 219-265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R5-25MLHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB44.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,460 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB44.53 |
| 10 - 99 | THB40.08 |
| 100 - 499 | THB37.11 |
| 500 - 999 | THB34.14 |
| 1000 + | THB30.68 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R5-25MLHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | NextPowerS3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.81mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 106W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series NextPowerS3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.81mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 106W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET featuring NextPowerS3 technology offers low RDS, low IDSS leakage, and high efficiency, with a current rating of 150 A. Its optimized low gate resistance supports fast-switching applications. Key applications include synchronous buck regulators, synchronous rectifiers in AC to DC and DC to DC conversions, BLDC motor control, eFuse and battery protection, as well as OR-ing and hot-swap functionalities.
Fast switching
Low spiking and ringing for low EMI designs
High reliability copper clip bonded
Qualified to 175 °C
Exposed leads for optimal Visual solder inspection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-25MLHX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-30YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-25YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN0R9-30YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Technology Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK PSMN014-40HLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin LFPAK