Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 231 A, 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-80YSFX
- RS Stock No.:
- 219-362
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN2R6-80YSFX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB101,145.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB108,225.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 + | THB67.43 | THB101,145.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-362
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN2R6-80YSFX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 231A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 294W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Ha-free and RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 231A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 294W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Ha-free and RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is qualified to 175°C. It is Ideal for both industrial and consumer applications. It is suitable for synchronous rectification in AC-DC and DC-DC converters, primary side switching in 48V DC-DC systems, BLDC motor control, USB-PD and mobile fast-charge adapters, as well as flyback and resonant topologies.
Strong avalanche energy rating
Avalanche rated and 100% tested
Ha free and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-100SSFJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R5-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R3-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-25MLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN8R5-40MSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN6R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-30YLDX
