Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK PSMN014-40HLDX
- RS Stock No.:
- 219-284
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN014-40HLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB42.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45.53
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB42.55 |
| 10 - 99 | THB38.10 |
| 100 - 499 | THB35.13 |
| 500 - 999 | THB32.66 |
| 1000 + | THB29.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-284
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN014-40HLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NextPowerS3 | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NextPowerS3 | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET in an LFPAK56D package utilizes NextPowerS3 technology, offering high performance and efficiency. It is Ideal for applications including brushless DC motor control, DC-to-DC converters, high-performance synchronous rectification, and server power supplies.
Dual MOSFET
Repetitive avalanche rated
Copper clip and solder die attach
Qualified to 175 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK PSMN014-40HLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-30YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-25YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-25MLHX
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN0R9-30YLDX
- Nexperia NextPowerS3 Technology Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement115
