STMicroelectronics STL125N10F8AG Type N-Channel MOSFET, 125 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL125N10F8AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB132.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB141.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB132.11
10 - 99THB118.75
100 - 499THB109.85
500 - 999THB101.93
1000 +THB91.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STL125N10F8AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STL125N10F8AG

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics 100 V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for Faster and more efficient switching.

Low gate charge Qg

Wettable flank package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง