IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 194-530P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH26N50P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,733.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,924.96
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 192 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB341.70 |
| 15 + | THB336.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 194-530P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH26N50P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | HiperFET, Polar | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 230mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.46mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.26mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series HiperFET, Polar | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 230mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.46mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.26mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS