IXYS Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P
- RS Stock No.:
- 194-136
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFP7N80P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB776.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB831.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 25 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB155.348 | THB776.74 |
| 15 - 20 | THB151.462 | THB757.31 |
| 25 + | THB149.132 | THB745.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 194-136
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFP7N80P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.44Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.66mm | |
| Height | 9.15mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-29-647 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.44Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.66mm | ||
Height 9.15mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-29-647 | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA17N80AE-GE3
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA80R750P7XKSA1
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-264