STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD6N95K5

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*

THB511.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB547.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,495 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5 - 45THB102.366THB511.83
50 - 95THB97.234THB486.17
100 - 495THB90.106THB450.53
500 - 995THB82.88THB414.40
1000 +THB79.838THB399.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-926
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD6N95K5
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Series

MDmesh K5

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.25Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.6 mm

Length

10.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Zener protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง