STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- RS Stock No.:
- 151-421
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STF6N95K5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB322.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB345.245
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 995 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 + | THB64.532 | THB322.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-421
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STF6N95K5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 950V | |
| Series | MDmesh K5 | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.25Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 950V | ||
Series MDmesh K5 | ||
Package Type TO-220FP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.25Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Industry’s lowest RDS(on) x area
Industry’s best FoM
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF6N95K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD6N95K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW12N150K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH13N120K5-2AG
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH2N120K5-2AG
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW8N120K5