STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD1NK80ZT4
- RS Stock No.:
- 151-904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD1NK80ZT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB28,517.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,512.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB11.407 | THB28,517.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD1NK80ZT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | SuperMESH | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series SuperMESH | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, it is high-voltage device with Zener-protected N-channel developed using the SuperMESH technology ,an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD1NK80ZT4
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD4NK80ZT4
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF3NK80Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP12NK80Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z