STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD4NK60ZT4
- RS Stock No.:
- 151-440P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD4NK60ZT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB5,084.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,440.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 480 | THB25.423 |
| 500 - 980 | THB23.57 |
| 1000 - 1980 | THB21.685 |
| 2000 + | THB20.877 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-440P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD4NK60ZT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SuperMESH | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.34mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.73mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SuperMESH | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.34mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.73mm | ||
Height 2.39mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Zener protected