STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L
- RS Stock No.:
- 151-424
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN4NF20L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB37,248.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB39,856.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB9.312 | THB37,248.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-424
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN4NF20L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | STN | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series STN | ||
Package Type SOT-223 | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZVN4206GTA
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF03L
- DiodesZetex IntelliFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
