STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 21 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STP12NM50FP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,636.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,960.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 450THB92.726THB4,636.30
500 +THB88.093THB4,404.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
151-409
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STP12NM50FP
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220FP

Series

MDmesh

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.4 mm

Length

15.85mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

30.6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET, This device developed using MDmesh technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH horizontal layout. These devices offer extremely low on resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST'sproprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง