onsemi, Single N-Channel N-Channel Switch-Channel JFET, 200 mV 8 mA, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 806-4251P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMBF4093
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB6,877.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,357.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1450 | THB9.17 |
| 1500 + | THB9.029 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 806-4251P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMBF4093
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | JFET | |
| Sub Type | N-Channel Switch | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200mV | |
| Configuration | Single | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -40V | |
| Drain Source Current Ids | 8 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80Ω | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.3mm | |
| Height | 930μm | |
| Length | 2.92mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type JFET | ||
Sub Type N-Channel Switch | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200mV | ||
Configuration Single | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOT-23 | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -40V | ||
Drain Source Current Ids 8 mA | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80Ω | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.3mm | ||
Height 930μm | ||
Length 2.92mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.