onsemi CPH3910-TL-E, Junction Type Type N-Channel JFET-Channel N-Channel JFET, 25 V 50 mA, 3-Pin CPH

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB302.24

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB323.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
20 - 180THB15.112THB302.24
200 - 980THB9.362THB187.24
1000 - 1980THB7.247THB144.94
2000 +THB6.511THB130.22

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
765-321
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
CPH3910-TL-E
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

N-Channel JFET

Sub Type

JFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Configuration

Junction Type

Mount Type

Surface

Package Type

CPH

Drain Source Current Ids

50 mA

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

400mW

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Width

2.9mm

Length

2.8mm

Series

CPH3

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The onsemi N-Channel JFET designed for applications requiring precision RF amplification and low noise operation. With a maximum drain-to-source voltage of 25V and a typical forward transfer admittance of 40 mS, this component excels in demanding environments. Ideal for AM tuner RF amplification and low noise applications, its ensures reliable performance across a range of temperatures and power levels. The device's low noise figure and high input capacitance make it suitable for critical communication signalling tasks, ensuring clarity and fidelity in signal transmission.

Features a maximum drain current of 50 mA for robust signal processing

Incorporates a gate current capability of 10 mA for versatile circuit integration

Offers a high input capacitance of 6.0 pF, enhancing signal stability

Provides a critical cutoff voltage range, ensuring efficient operation in diverse conditions

Designed as a Pb-free device, meeting modern environmental standards

Exhibits a low gate-to-drain breakdown voltage of −25V, promoting enhanced safety in usage

Delivers a significant noise figure of 2.1 dB, reducing unwanted noise interference

Optimised for AM tuner RF amplification, fostering superior audio quality in communications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง