IXYS, N-Channel high Speed IGBT, 66 A 1.2 kV, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 15 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB97.35

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB3,364.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,599.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 146 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
การประหยัด
8 - 14THB420.51-
15 +THB414.02THB97.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
808-0271P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXYH30N120C3D1
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

high Speed IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

66A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Maximum Power Dissipation Pd

416W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

50kHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

3.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

20.32mm

Standards/Approvals

International Standard Package

Series

GenX3TM

Width

16.26mm

Automotive Standard

No

Energy Rating

400mJ

IGBT Discretes, IXYS XPT series


The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

High power density and low VCE(sat)

Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to rated breakdown voltage

Short circuit capability for 10usec

Positive on-state voltage temperature coefficient

Optional co-packed Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diodes

International standard and proprietary high voltage packages

IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.