IXYS IXA45IF1200HB, Type N-Channel XPT IGBT, 78 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 808-0262
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXA45IF1200HB
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB610.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB653.07
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB610.35 |
| 8 - 14 | THB595.09 |
| 15 + | THB585.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 808-0262
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXA45IF1200HB
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 78A | |
| Product Type | XPT IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 325W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 70ns | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.8V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | Epoxy meets UL 94V-0, RoHS | |
| Length | 20.3mm | |
| Series | Planar | |
| Height | 5.3mm | |
| Width | 16.24 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 78A | ||
Product Type XPT IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 325W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 70ns | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals Epoxy meets UL 94V-0, RoHS | ||
Length 20.3mm | ||
Series Planar | ||
Height 5.3mm | ||
Width 16.24 mm | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
High power density and low VCE(sat)
Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to rated breakdown voltage
Short circuit capability for 10usec
Positive on-state voltage temperature coefficient
Optional co-packed Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diodes
International standard and proprietary high voltage packages
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS IXA45IF1200HB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXYH82N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXYH30N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXYH50N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXYH20N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXYH50N120C3D1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXA12IF1200HB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXYH40N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole