Toshiba GT30J341,Q(O IGBT, 59 A 600 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
RS Stock No.:
799-4867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GT30J341,Q(O
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

59 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

COO (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba



IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง