STMicroelectronics STGW20V60F IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB660.97

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB707.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB132.194THB660.97
10 - 10THB128.886THB644.43
15 +THB126.904THB634.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
791-7621
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGW20V60F
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง