Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-7402
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12KT3BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*
THB44,629.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,753.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB4,462.977 | THB44,629.77 |
| 100 + | THB4,091.043 | THB40,910.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7402
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12KT3BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 122mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 122mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 50A continuous DC collector current. It has copper base plate for optimized heat spread and low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC.
Thermal resistance
High reliability
High power density
Low switching losses
Compact module concept
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module Panel
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 75 A 1200 V
- Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V
- Infineon 75 A 1200 V EASY2B, Clamp
- Infineon FP75R12KT4PBPSA1 75 A 1200 V EASY2B, Clamp
- Infineon FF75R12RT4HOSA1 75 A 1200 V Clamp
