Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB36,678.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39,246.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB3,667.871THB36,678.71
20 - 20THB3,594.505THB35,945.05
30 +THB3,522.62THB35,226.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5834
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP50R12KE3BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation

280 W

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง