Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB59,136.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB63,276.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 +THB59.136THB59,136.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-2956
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGB20N65S5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

TRENCHSTOPTM5

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.

Gate drivers with Miller clamping not required

Reduction in the EMI filtering needed

Excellent for paralleling

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง